- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,978
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 | MESH OVERLAY™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2.9W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 1A (Tc) | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V | 5V @ 250µA | 15.7nC @ 10V | 206pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,369
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK | MESH OVERLAY™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 300W (Tc) | N-Channel | - | 150V | 40A (Tc) | 52 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 110nC @ 10V | 2420pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,254
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | MESH OVERLAY™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 45W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 5A (Tc) | 800 mOhm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | 350pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,254
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 4A DPAK | MESH OVERLAY™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 50W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 4A (Tc) | 1.1 Ohm @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 27nC @ 10V | 355pF @ 25V | 10V | ±20V |