- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,296
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK | STripFET™ II | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 100W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 70A (Tc) | 9.5 mOhm @ 35A, 10V | 1V @ 250µA | 30nC @ 5V | 1440pF @ 25V | 5V, 10V | ±18V | |||
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获得报价 |
857
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | STripFET™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 300W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 120A (Tc) | 3.8 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 90nC @ 4.5V | 6400pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V | |||
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获得报价 |
731
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | STripFET™ II | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK | 300W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 80A (Tc) | 8 mOhm @ 40A, 10V | 2.5V @ 250µA | 100nC @ 4.5V | 4350pF @ 25V | 5V, 10V | ±16V |