- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,499
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT | STripFET™ F7 | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerFlat™ (5x6) | 136W (Tc) | N-Channel | - | 120V | 100A (Tc) | 7.5 mOhm @ 9A, 10V | 4.5V @ 250µA | 46nC @ 10V | 3300pF @ 60V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,898
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK | MDmesh™ II | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 125W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 17A (Tc) | 190 mOhm @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 46nC @ 10V | 1400pF @ 50V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,731
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT | MDmesh™ II | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerFlat™ HV | PowerFlat™ (8x8) HV | 3W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 3.3A (Ta), 16A (Tc) | 215 mOhm @ 8A, 10V | 5V @ 250µA | 46nC @ 10V | 1400pF @ 50V | 10V | ±25V |