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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STL120N4F6AG
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 96W (Tc) N-Channel - 40V 55A (Tc) 3.6 mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 3700pF @ 25V 10V 40V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 96W (Tc) N-Channel - 40V 55A (Tc) 3.6 mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 3700pF @ 25V 10V 40V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 96W (Tc) N-Channel - 40V 55A (Tc) 3.6 mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 63nC @ 10V 3700pF @ 25V 10V 40V
STB55NF06LT4
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK STripFET™ II Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 95W (Tc) N-Channel - 60V 55A (Tc) 18 mOhm @ 27.5A, 10V 4.7V @ 250µA 37nC @ 4.5V 1700pF @ 25V 10V, 5V ±16V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK STripFET™ II Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 95W (Tc) N-Channel - 60V 55A (Tc) 18 mOhm @ 27.5A, 10V 4.7V @ 250µA 37nC @ 4.5V 1700pF @ 25V 10V, 5V ±16V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK STripFET™ II Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 95W (Tc) N-Channel - 60V 55A (Tc) 18 mOhm @ 27.5A, 10V 4.7V @ 250µA 37nC @ 4.5V 1700pF @ 25V 10V, 5V ±16V
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