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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
RJK2055DPA-00#J0
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RFQ
1,358
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 200V W-PAK - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-WPAK 30W (Tc) N-Channel 200V 20A (Ta) 69 mOhm @ 10A, 10V - 38nC @ 10V 2400pF @ 25V - -
HAT2173H-EL-E
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RFQ
1,099
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 30W (Tc) N-Channel 100V 25A (Ta) 15 mOhm @ 12.5A, 10V 6V @ 20mA 61nC @ 10V 4350pF @ 10V 8V, 10V ±20V
HAT2160H-EL-E
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RFQ
2,638
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 30W (Tc) N-Channel 20V 60A (Ta) 2.6 mOhm @ 30A, 10V 2.3V @ 1mA 54nC @ 4.5V 7750pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
HAT2165H-EL-E
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RFQ
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 30W (Tc) N-Channel 30V 55A (Ta) 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V 2.5V @ 1mA 33nC @ 4.5V 5180pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
HAT2169H-EL-E
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RFQ
3,047
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK 30W (Tc) N-Channel 40V 50A (Ta) 3.5 mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 45nC @ 4.5V 6650pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
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