- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
2,137
有现货
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 500V | 25A (Ta) | 240 mOhm @ 12.5A, 10V | 66nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
|
获得报价 |
2,199
有现货
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PFM, SC-93-3 | TO-3PFM | 60W (Tc) | N-Channel | 600V | 21A (Ta) | 360 mOhm @ 10.5A, 10V | 67nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
|
获得报价 |
2,458
有现货
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 21A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 150W (Tc) | N-Channel | 600V | 21A (Ta) | 360 mOhm @ 10.5A, 10V | 67nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
|
获得报价 |
876
有现货
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 150W (Ta) | N-Channel | 500V | 25A (Ta) | 240 mOhm @ 12.5A, 10V | 66nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V | |||
|
获得报价 |
1,007
有现货
|
Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 50A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 150W (Tc) | N-Channel | 250V | 50A (Ta) | 64 mOhm @ 25A, 10V | 60nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V |