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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
RJK6014DPK-00#T0
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RFQ
1,952
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 11A TO220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 150W (Tc) N-Channel 600V 16A (Ta) 575 mOhm @ 8A, 10V 45nC @ 10V 1800pF @ 25V 10V ±30V
RJL5014DPK-00#T0
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RFQ
1,284
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 500V 19A TO3P - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 150W (Tc) N-Channel 500V 19A (Ta) 400 mOhm @ 9.5A, 10V 43nC @ 10V 1700pF @ 25V 10V ±30V
RJK6015DPK-00#T0
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RFQ
2,458
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 21A TO3P - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 150W (Tc) N-Channel 600V 21A (Ta) 360 mOhm @ 10.5A, 10V 67nC @ 10V 2600pF @ 25V 10V ±30V
RJK4514DPK-00#T0
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RFQ
1,348
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 450V 22A TO3P - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 150W (Tc) N-Channel 450V 22A (Ta) 300 mOhm @ 11A, 10V 46nC @ 10V 1800pF @ 25V 10V ±30V
RJK2508DPK-00#T0
单位
$2.78
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RFQ
1,007
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 250V 50A TO3P - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) - Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 150W (Tc) N-Channel 250V 50A (Ta) 64 mOhm @ 25A, 10V 60nC @ 10V 2600pF @ 25V 10V ±30V
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