- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,964
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 17A TO3P | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-WPAK | 30W (Tc) | N-Channel | 250V | 17A (Ta) | 128 mOhm @ 8.5A, 10V | 20nC @ 10V | 1250pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,674
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 17A TO3P | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-WPAK | 30W (Tc) | N-Channel | 250V | 17A (Ta) | 104 mOhm @ 8.5A, 10V | 39nC @ 10V | 2400pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
930
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 65A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 200W (Tc) | N-Channel | 250V | 65A (Ta) | 34 mOhm @ 32.5A, 10V | 120nC @ 10V | 4900pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,546
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 10A WPAK | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-WPAK | 25W (Tc) | N-Channel | 250V | 10A (Ta) | 230 mOhm @ 5A, 10V | 15nC @ 10V | 710pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,358
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-83 | 4-LDPAK | 75W (Tc) | N-Channel | 250V | 20A (Ta) | 180 mOhm @ 10A, 10V | 47nC @ 10V | 1300pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,007
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 250V 50A TO3P | - | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P | 150W (Tc) | N-Channel | 250V | 50A (Ta) | 64 mOhm @ 25A, 10V | 60nC @ 10V | 2600pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1