- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,238
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SC-73 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 800mW (Ta), 6.2W (Tc) | N-Channel | 100V | 900mA (Ta) | 950 mOhm @ 800mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 3nC @ 10V | 160pF @ 80V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,273
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) | N-Channel | 100V | 1.8A (Ta) | 235 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 10nC @ 10V | 475pF @ 80V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,904
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | TrenchMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 200W (Tc) | N-Channel | 100V | 64A (Tc) | 19 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 53nC @ 10V | 3400pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,268
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH QFN3333 | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | 65W (Tc) | N-Channel | 100V | 27A (Tc) | 32 mOhm @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 23nC @ 10V | 1350pF @ 50V | 10V | ±20V |