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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXTP2R4N120P
单位
$4.19
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RFQ
1,009
有现货
IXYS MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220 Polar™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 125W (Tc) N-Channel - 1200V 2.4A (Tc) 7.5 Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 37nC @ 10V 1207pF @ 25V 10V ±20V
IXTP3N100P
单位
$2.63
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RFQ
2,388
有现货
IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 PolarVHV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 125W (Tc) N-Channel - 1000V 3A (Tc) 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 39nC @ 10V 1100pF @ 25V 10V ±20V
IXTP3N100D2
单位
$3.01
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RFQ
1,163
有现货
IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 125W (Tc) N-Channel Depletion Mode 1000V 3A (Tc) 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V - 37.5nC @ 5V 1020pF @ 25V - ±20V
IXTP3N50D2
单位
$3.01
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RFQ
1,778
有现货
IXYS MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 125W (Tc) N-Channel Depletion Mode 500V 3A (Tc) 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V - 40nC @ 5V 1070pF @ 25V - ±20V
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