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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRLR3303TRPBF
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RFQ
1,260
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A DPAK HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 68W (Tc) N-Channel - 30V 35A (Tc) 31 mOhm @ 21A, 10V 1V @ 250µA 26nC @ 4.5V 870pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLR7821TRPBF
单位
$0.97
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RFQ
3,651
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 65A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 75W (Tc) N-Channel - 30V 65A (Tc) 10 mOhm @ 15A, 10V 1V @ 250µA 14nC @ 4.5V 1030pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRLR9343TRPBF
单位
$0.93
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RFQ
3,718
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 20A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252AA) 79W (Tc) P-Channel - 55V 20A (Tc) 105 mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47nC @ 10V 660pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
IRLR3103TRPBF
单位
$1.27
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RFQ
2,950
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 55A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 107W (Tc) N-Channel - 30V 55A (Tc) 19 mOhm @ 33A, 10V 1V @ 250µA 50nC @ 4.5V 1600pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLR2703TRPBF
单位
$0.90
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RFQ
1,513
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 23A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 45W (Tc) N-Channel - 30V 23A (Tc) 45 mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 450pF @ 25V 4V, 10V ±16V
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