- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,896
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 37W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 21A (Tc) | 42 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 34nC @ 10V | 700pF @ 25V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,434
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO220-FP | 32W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 5.7A (Tc) | 1 Ohm @ 3.3A, 10V | 3.5V @ 370µA | 34nC @ 10V | 850pF @ 100V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,829
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 | CoolMOS™ C7 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | PG-TO220 Full Pack | 32W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 11A (Tc) | 120 mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 390µA | 34nC @ 10V | 1500pF @ 400V | 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,349
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 21A TO220FP | HEXFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 37W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 21A (Tc) | 40 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 34nC @ 10V | 700pF @ 25V | 10V | ±20V |