- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,738
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 | FETKY™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.25W (Ta) | N-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 2.7A (Ta) | 130 mOhm @ 1.7A, 10V | 1V @ 250µA | 12nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,434
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 | FETKY™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.25W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 2A (Ta) | 200 mOhm @ 1.2A, 10V | 1V @ 250µA | 11nC @ 10V | 180pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,315
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 | FETKY™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.25W (Ta) | N-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 2.7A (Ta) | 130 mOhm @ 1.7A, 10V | 1V @ 250µA | 12nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
893
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 | FETKY™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.25W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 2A (Ta) | 200 mOhm @ 1.2A, 10V | 1V @ 250µA | 11nC @ 10V | 180pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |