- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
3,501
有现货
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB | - | Active | Tube | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AB | 106W (Tc) | 1700V | 4A (Tc) (95°C) | 480 mOhm @ 4A | - | ||
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获得报价 |
3,295
有现货
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB | - | Active | Tube | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AB | 48W (Tc) | 1700V | 8A (Tc) (90°C) | 250 mOhm @ 8A | - | ||
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获得报价 |
961
有现货
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 50A | - | Active | Tube | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AB | 583W (Tc) | 1200V | 100A (Tc) | 25 mOhm @ 50A | 7209pF @ 800V |
粤ICP备2022113175号-1