- 功耗(最大) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,283
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.3A | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.1W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 3.3A (Ta) | 85 mOhm @ 3.05A, 10V | 2.2V @ 250µA | 7.8nC @ 10V | 353pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,850
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, WLBGA | U-WLB1010-4 | 820mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 3.3A (Ta) | 80 mOhm @ 500mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | 350pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -6V | ||
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获得报价 |
1,539
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 700mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 3.3A (Ta) | 72 mOhm @ 4.2A, 10V | 1.3V @ 250µA | 15.9nC @ 10V | 708pF @ 15V | 1.8V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
2,336
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 3.3A U-DFN2020 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | U-DFN2020-6 (Type E) | 700mW (Ta) | P-Channel | - | 40V | 3.3A (Ta) | 33 mOhm @ 4.4A, 10V | 2.2V @ 250µA | 23.2nC @ 10V | 1382pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V |