- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,295
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | 8-DFN3020 (3x2) | 1.5W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 2.9A (Ta) | 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V | 1.3V @ 250µA | - | 632pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,604
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 1.08W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.6A (Ta) | 110 mOhm @ 2.6A, 4.5V | 1.25V @ 250µA | 5.3nC @ 4.5V | 250pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,256
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.56W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 6.4A (Ta) | 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 43.3nC @ 4.5V | 2068pF @ 15V | 2.5V, 4.5V | ±12V |