- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
725
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 48W (Ta) | N-Channel | 600V | 3.7A (Tc) | 2.3 Ohm @ 2A, 10V | 4.5V @ 250µA | 14.3nC @ 10V | 532pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,185
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-59 | 610mW (Ta) | N-Channel | 600V | 50mA (Ta) | 160 Ohm @ 16mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 1.08nC @ 10V | 21.8pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,028
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 610mW (Ta) | N-Channel | 600V | 50mA (Ta) | 160 Ohm @ 16mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 1.08nC @ 10V | 21.8pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V |