- 最大功率 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
2,850
有现货
|
Diodes Incorporated | MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2.5W | 8-SO | 2 P-Channel (Dual) | Standard | 30V | 6.9A (Ta) | 45 mOhm @ 6A, 10V | 2.1V @ 250µA | 13.7nC @ 4.5V | 722pF @ 25V | |||
|
获得报价 |
1,334
有现货
|
ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V SO8FL | - | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 1.09W, 1.15W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 30V | 9.1A, 13.7A | 7.3 mOhm @ 10A, 10V | 2.1V @ 250µA | 9.3nC @ 4.5V | 970pF @ 15V | |||
|
获得报价 |
1,807
有现货
|
Texas Instruments | 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM | NexFET™ | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 15.6W | 8-VSON (3.3x3.3) | 2 N-Channel (Dual) Common Source | Standard | 30V | 10A (Ta) | - | 2.1V @ 250µA | 17.4nC @ 4.5V | 1020pF @ 15V |