- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
2,284
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 60V 4.5A 8SOP | - | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2.4W | 8-SOP | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 60V | 4.5A (Ta) | 55 mOhm @ 4.5A, 10V | 3V @ 250µA | 18nC @ 10V | 910pF @ 24V | |||
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获得报价 |
2,851
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 | - | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-SMD, No Lead | 2.4W | X3-DSN2718-6 | 2 N-Channel (Dual) | Standard | - | - | - | 1.3V @ 1mA | 35.2nC @ 4.5V | 2360pF @ 6V | |||
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获得报价 |
3,455
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2.4W | 8-SO | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 50V | 3A | 130 mOhm @ 3A, 10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | 255pF @ 25V |