- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
2,739
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8 | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | 330mW | VS-8 (2.9x1.5) | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 30V | 3.2A | 72 mOhm @ 1.6A, 10V | 1.2V @ 1mA | 14nC @ 10V | 600pF @ 10V | |||
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获得报价 |
2,316
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8 | - | Active | Tape & Reel (TR) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | 1.5W | 8-ECH | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 30V | 5.5A | 39 mOhm @ 2.5A, 10V | - | 13nC @ 10V | 600pF @ 10V |