- 系列 :
- FET特性 :
- 漏极-源极电压（Vdss） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
7 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
3,365
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC | - | Active | Digi-Reel® | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900mW | 8-SO | N and P-Channel | Logic Level Gate | 30V, 20V | 5.5A, 4A | 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 28nC @ 4.5V | 900pF @ 10V | ||
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获得报价 |
3,375
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC | - | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900mW | 8-SO | N and P-Channel | Logic Level Gate | 30V, 20V | 5.5A, 4A | 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 28nC @ 4.5V | 900pF @ 10V | ||
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获得报价 |
3,682
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC | - | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 900mW | 8-SO | N and P-Channel | Logic Level Gate | 30V, 20V | 5.5A, 4A | 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 28nC @ 4.5V | 900pF @ 10V | ||
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获得报价 |
1,936
有现货
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Rohm Semiconductor | SIC POWER MODULE | - | Active | Bulk | 175°C (TJ) | Surface Mount | Module | 880W | Module | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | - | - | 5.6V @ 50mA | - | 900pF @ 10V | ||
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获得报价 |
3,296
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2W | 8-SO | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 10A, 12A | 9.3 mOhm @ 12A, 10V | 2.55V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | 900pF @ 10V | ||
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获得报价 |
651
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2W | 8-SO | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 10A, 12A | 9.3 mOhm @ 12A, 10V | 2.55V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | 900pF @ 10V | ||
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获得报价 |
1,829
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2W | 8-SO | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 10A, 12A | 9.3 mOhm @ 12A, 10V | 2.55V @ 250µA | 11nC @ 4.5V | 900pF @ 10V |
粤ICP备2022113175号-1