- 工作温度 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
858
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | Automotive, AEC-Q101 | Active | Tray | 175°C | Surface Mount | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad | 54W | 20-HSOP | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) | Logic Level Gate, 4.5V Drive | 60V | 20A | 20 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 1mA | 43nC @ 10V | 2600pF @ 10V | ||
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获得报价 |
2,422
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 4W | - | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 40V | 8A | 24 mOhm @ 5.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 43nC @ 10V | 741pF @ 20V | ||
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获得报价 |
2,194
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 4W | - | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 40V | 8A | 24 mOhm @ 5.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 43nC @ 10V | 741pF @ 20V | ||
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获得报价 |
1,516
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 4W | 8-SOIC | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 40V | 8A | 24 mOhm @ 5.3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 43nC @ 10V | 741pF @ 20V | ||
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获得报价 |
1,336
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET 2 N-CH 40V 20A 8-PQFN | - | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 75W | 8-PQFN (5x6) | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 40V | 20A (Tc) | 5.8 mOhm @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 43nC @ 10V | 2100pF @ 20V |
粤ICP备2022113175号-1