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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
2,009
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN | - | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 2W | 6-UDFNB (2x2) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate, 1.5V Drive | 20V | 4A | 33 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 1mA | 3.6nC @ 4.5V | 410pF @ 10V |