- 系列 :
- 包装/箱 :
- 漏极-源极电压(Vdss) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
1,689
有现货
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Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | Active | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 900W | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | 100A | 25 mOhm @ 100A, 20V | 5V @ 10mA | 500nC @ 20V | 10200pF @ 800V | ||
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获得报价 |
642
有现货
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Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | Active | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 1080W | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | 100A | 25 mOhm @ 100A, 20V | 5V @ 10mA | 500nC @ 20V | 10200pF @ 800V | ||
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获得报价 |
3,491
有现货
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IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK | Trench™ | Active | Tube | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | 150W | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 100V | 100A | 7.4 mOhm @ 50A, 10V | 4.5V @ 250µA | 151nC @ 10V | 6900pF @ 25V | ||
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获得报价 |
827
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE | CoolSiC™ | Active | Tray | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 20mW | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | 100A | 11 mOhm @ 100A, 15V | 5.55V @ 40mA | 250nC @ 15V | 7950pF @ 800V |