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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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IXYS | MOSFET N/P-CH | Active | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-4, Isolated | 89W, 132W | ISOPLUS i4-PAC™ | N and P-Channel, Common Drain | Standard | 100V | 54A (Tc), 62A (Tc) | 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA | 197nC @ 10V, 104nC @ 10V | 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V |
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