晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	零件状态	包装材料	工作温度	安装类型	包装/箱	最大功率	供应商设备包	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds
	DMN63D1LV-7	单位 $0.14	获得报价	PDF RFQ	1,505 有现货	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563	Active	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-563, SOT-666	940mW	SOT-563	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	550mA (Ta)	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 1mA	0.392nC @ 4.5V	30pF @ 25V
	DMN63D1LV-13	单位 $0.12	获得报价	PDF RFQ	1,621 有现货	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563	Active	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-563, SOT-666	940mW	SOT-563	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	550mA (Ta)	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 1mA	0.392nC @ 4.5V	30pF @ 25V

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