- 系列 :
- 包装/箱 :
- 供应商设备包 :
- 漏极-源极电压（Vdss） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
991
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 125W | SP3 | 4 N-Channel (Three Level Inverter) | Standard | 1200V (1.2kV) | 28A | 98 mOhm @ 20A, 20V | 2.2V @ 1mA | 49nC @ 20V | 950pF @ 1000V | ||
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获得报价 |
2,347
有现货
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Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC MOSFET | - | Active | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 125W | SP3 | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | 26A (Tc) | 98 mOhm @ 20A, 20V | 3V @ 5mA | 62nC @ 20V | 950pF @ 1000V | ||
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获得报价 |
1,526
有现货
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IXYS | MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC | Polar™ | Active | Tube | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | 125W | ISOPLUS i4-PAC™ | N and P-Channel | Standard | 150V | 36A, 22A | 40 mOhm @ 31A, 10V | 5.5V @ 250µA | 70nC @ 10V | 2250pF @ 25V | ||
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获得报价 |
955
有现货
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IXYS | MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC | HiPerFET™ | Active | Tube | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | 125W | ISOPLUS i4-PAC™ | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 200V | 33A | 40 mOhm @ 30A, 10V | 4.5V @ 250µA | 90nC @ 10V | 3700pF @ 25V | ||
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获得报价 |
3,150
有现货
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IXYS | MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC | HiPerFET™ | Active | Tube | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | 125W | ISOPLUS i4-PAC™ | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 250V | 30A | 50 mOhm @ 25A, 10V | 4.5V @ 250µA | 78nC @ 10V | 4000pF @ 25V | ||
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获得报价 |
2,049
有现货
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IXYS | MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC | Polar™ | Active | Tube | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | i4-Pac™-5 | 125W | ISOPLUS i4-PAC™ | N and P-Channel | Standard | 200V | 26A, 17A | 60 mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 250µA | 70nC @ 10V | 2720pF @ 25V |
粤ICP备2022113175号-1