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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
ZXMC3AMCTA
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RFQ
3,380
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN - Active Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-WDFN Exposed Pad 1.7W 8-DFN (3x2) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.9A, 2.1A 120 mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 3.9nC @ 10V 190pF @ 25V
ZXMC3AMCTA
单位
$1.07
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RFQ
3,927
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN - Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-WDFN Exposed Pad 1.7W 8-DFN (3x2) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.9A, 2.1A 120 mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 3.9nC @ 10V 190pF @ 25V
ZXMC3AMCTA
单位
$0.41
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RFQ
1,818
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-WDFN Exposed Pad 1.7W 8-DFN (3x2) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 2.9A, 2.1A 120 mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 3.9nC @ 10V 190pF @ 25V
ZXMN2AMCTA
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RFQ
2,743
有现货
Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-WDFN Exposed Pad 1.7W 8-DFN (3x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 120 mOhm @ 4A, 4.5V 3V @ 250µA 3.1nC @ 4.5V 299pF @ 15V
AON7934
单位
$0.33
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RFQ
2,905
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-WDFN Exposed Pad 2.5W 8-DFN-EP (3x3) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 13A, 15A 10.2 mOhm @ 13A, 10V 2.2V @ 250µA 11nC @ 10V 485pF @ 15V
ZXMN3AMCTA
单位
$0.34
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RFQ
2,010
有现货
Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-WDFN Exposed Pad 1.7W 8-DFN (3x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 2.9A 120 mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 3.9nC @ 10V 190pF @ 25V
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