- 系列 :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
979
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 390W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 1000V (1kV) | 22A | 420 mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186nC @ 10V | 5200pF @ 25V | ||
|
|
|
获得报价 |
858
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 357W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 1000V (1kV) | 18A | 540 mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 2.5mA | 154nC @ 10V | 4350pF @ 25V | ||
|
|
|
获得报价 |
2,875
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 390W | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1000V (1kV) | 22A | 420 mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 2.5mA | 186nC @ 10V | 5200pF @ 25V | ||
|
|
|
获得报价 |
3,175
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | POWER MOS 8™ | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 357W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 1000V (1kV) | 19A | 552 mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260nC @ 10V | 6800pF @ 25V |
粤ICP备2022113175号-1