- 系列 :
- FET特性 :
- 漏极-源极电压（Vdss） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
1,364
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 250W | 4 N-Channel (Three Level Inverter) | Standard | 1200V (1.2kV) | 55A | 49 mOhm @ 40A, 20V | 2.2V @ 2mA (Typ) | 98nC @ 20V | 1900pF @ 1000V | ||
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获得报价 |
763
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 | CoolMOS™ | Active | Tray | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 250W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Logic Level Gate | 600V | 39A | 70 mOhm @ 39A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 700pF @ 25V | ||
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获得报价 |
1,462
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F | CoolMOS™ | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | SP3 | 250W | 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier | Standard | 600V | 39A | 70 mOhm @ 39A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 7000pF @ 25V | ||
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获得报价 |
3,448
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 250W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 600V | 39A | 70 mOhm @ 39A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 259nC @ 10V | 7000pF @ 25V |
粤ICP备2022113175号-1