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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
CSD86330Q3D
单位
$0.86
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RFQ
1,829
有现货
Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 6W 8-LSON (3.3x3.3) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 25V 20A 9.6 mOhm @ 14A, 8V 2.1V @ 250µA 6.2nC @ 4.5V 920pF @ 12.5V
CSD87330Q3D
单位
$0.63
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RFQ
2,680
有现货
Texas Instruments MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 6W 8-LSON (3.3x3.3) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 20A - 2.1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V 900pF @ 15V
CSD87331Q3D
单位
$0.45
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RFQ
1,999
有现货
Texas Instruments MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON NexFET™ Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerLDFN 6W 8-LSON (5x6) 2 N-Channel (Half Bridge) Standard 30V 15A - 2.1V @ 250µA 3.2nC @ 4.5V 518pF @ 15V
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