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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN | - | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-XFDFN Exposed Pad | 285mW | 6-DFN (1.1x1) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 60V | 260mA | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V | 2.1V @ 250µA | 1nC @ 10V | 23.6pF @ 10V |