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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 输入类型 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 电压源 通道类型 驱动配置 司机人数 门型 逻辑电压-VIL,VIH 电流-峰值输出(源、汇) 高压侧电压-最大值(自举) 上升/下降时间(典型)
IXD611S7T/R
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RFQ
3,472
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IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC - Obsolete Tape & Reel (TR) Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC 10 V ~ 35 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 2.4V, 2.7V 600mA, 600mA 600V 28ns, 18ns
IXD611S7
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RFQ
2,223
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IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC - Obsolete Bulk Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-SOIC 10 V ~ 35 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 2.4V, 2.7V 600mA, 600mA 600V 28ns, 18ns
IXD611S1T/R
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RFQ
3,162
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IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC - Obsolete Tape & Reel (TR) Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 10 V ~ 35 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 2.4V, 2.7V 600mA, 600mA 600V 28ns, 18ns
IXD611S1
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RFQ
3,221
有现货
IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC - Obsolete Bulk Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 10 V ~ 35 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 2.4V, 2.7V 600mA, 600mA 600V 28ns, 18ns
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RFQ
842
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IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm) 14-PDIP 10 V ~ 35 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 2.4V, 2.7V 600mA, 600mA 600V 28ns, 18ns
IXD611P1
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RFQ
3,866
有现货
IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8DIP - Obsolete Tube Non-Inverting -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-PDIP 10 V ~ 35 V Independent Half-Bridge 2 IGBT, N-Channel MOSFET 2.4V, 2.7V 600mA, 600mA 600V 28ns, 18ns
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