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TH58NYG3S0HBAI6
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA - Active Tape & Reel (TR) FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 8Gb (1G x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA - Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 1Gb (128M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA - Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 2.7 V ~ 3.6 V Non-Volatile 2Gb (256M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 1GBIT 25NS 67FBGA - Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 2.7 V ~ 3.6 V Non-Volatile 1Gb (128M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA Benand™ Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 2.7 V ~ 3.6 V Non-Volatile 2Gb (256M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA - Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 4Gb (512M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA Benand™ Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 2.7 V ~ 3.6 V Non-Volatile 1Gb (128M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67FBGA - Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 2Gb (256M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA Benand™ Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 2Gb (256M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA Benand™ Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 4Gb (512M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA Benand™ Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 1Gb (128M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA - Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 2.7 V ~ 3.6 V Non-Volatile 4Gb (512M x 8) - Flash 25ns Parallel
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Toshiba Memory America, Inc. IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA Benand™ Active Tray FLASH - NAND (SLC) -40°C ~ 85°C (TA) Surface Mount 67-VFBGA 67-VFBGA (6.5x8) 1.7 V ~ 1.95 V Non-Volatile 4Gb (512M x 8) - Flash 25ns Parallel
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