- 包装/箱 :
- Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) :
- 25°C时的Td(开/关) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 零件状态 | 包装材料 | 输入类型 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | 反向恢复时间(trr) | 集电器(Ic)(最大值) | 电压-集电极-发射极击穿(最大) | IGBT型 | Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) | 电流收集器脉冲(Icm) | 开关能量 | 门电荷 | 25°C时的Td(开/关) | 试验条件 | |
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获得报价 |
3,550
有现货
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 70A 368W TO264 | Active | Tube | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | 368W | TO-264 | 337ns | 70A | 1200V | Trench Field Stop | 2.2V @ 15V, 35A | 105A | 2.5mJ (on), 1.7mJ (off) | 210nC | 34ns/172ns | 600V, 35A, 10 Ohm, 15V | |||
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获得报价 |
2,774
有现货
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | Active | - | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | Die | - | Die | - | 35A | 1200V | Trench Field Stop | 2.2V @ 15V, 25A | - | - | 170nC | 50ns/280ns | 600V, 35A, 10 Ohm, 15V |