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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 零件状态 | 包装材料 | 输入类型 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 集电器(Ic)(最大值) | 电压-集电极-发射极击穿(最大) | IGBT型 | Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) | 门电荷 | 25°C时的Td(开/关) | 试验条件 | |
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2,259
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | Active | - | Standard | -40°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | Die | 10A | 1200V | Trench | 2.56V @ 15V, 10A | 4.8nC | 10ns/90ns | 600V, 10A, 22 Ohm, 15V |