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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 输入类型 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 集电器(Ic)(最大值) 电压-集电极-发射极击穿(最大) IGBT型 Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) 电流收集器脉冲(Icm) 开关能量 门电荷 25°C时的Td(开/关) 试验条件
APT75GP120B2G
单位
$24.67
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RFQ
782
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 100A 1042W TMAX POWER MOS 7® Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 1042W 100A 1200V PT 3.9V @ 15V, 75A 300A 1620µJ (on), 2500µJ (off) 320nC 20ns/163ns 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
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RFQ
1,332
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Infineon Technologies IGBT 1200V ULTRA FAST DIE - Obsolete Bulk Standard -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Die - - 1200V - 2V @ 15V, 75A - - 540nC 90ns/580ns 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
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RFQ
2,257
有现货
Infineon Technologies IGBT 1200V ULTRA FAST DIE - Obsolete Bulk Standard -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Die - - 1200V - 1.6V @ 15V, 20A - - 420nC 105ns/45ns 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
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