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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 输入类型 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 反向恢复时间(trr) 集电器(Ic)(最大值) 电压-集电极-发射极击穿(最大) IGBT型 Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) 电流收集器脉冲(Icm) 开关能量 门电荷 25°C时的Td(开/关) 试验条件
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单位
$7.30
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RFQ
1,634
有现货
Infineon Technologies IGBT CHIP WAFER - Active - Standard -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Die - Die - 75A 1200V - 2V @ 15V, 75A - - 480nC 80ns/210ns 600V, 75A, 1.5 Ohm, 15V
GPA040A120L-FD
单位
$6.30
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RFQ
1,056
有现货
Global Power Technologies Group IGBT 1200V 80A 480W TO264 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA 480W TO-264 200ns 80A 1200V Trench Field Stop 2.6V @ 15V, 40A 120A 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) 480nC 55ns/200ns 600V, 40A, 5 Ohm, 15V
GPA040A120MN-FD
单位
$2.87
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RFQ
1,216
有现货
Global Power Technologies Group IGBT 1200V 80A 480W TO3PN - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3 480W TO-3PN 200ns 80A 1200V Trench Field Stop 2.6V @ 15V, 40A 120A 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) 480nC 55ns/200ns 600V, 40A, 5 Ohm, 15V
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