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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 输入类型 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | 反向恢复时间(trr) | 集电器(Ic)(最大值) | 电压-集电极-发射极击穿(最大) | Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) | 电流收集器脉冲(Icm) | 25°C时的Td(开/关) | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH | - | Obsolete | Tube | Standard | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-3PL | 170W | TO-3P(LH) | 2.5µs | 60A | 1000V | 2.8V @ 15V, 60A | 120A | 330ns/700ns |