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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 输入类型 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 电压-集电极-发射极击穿(最大) IGBT型 Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) 电流收集器脉冲(Icm) 门电荷 25°C时的Td(开/关) 试验条件
FGPF30N45TTU
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RFQ
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ON Semiconductor IGBT 450V 50.4W TO220F - Obsolete Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack 50.4W TO-220F 450V Trench 1.6V @ 15V, 20A 120A 73nC - -
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RFQ
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Infineon Technologies IGBT 1200V ULTRA FAST DIE - Obsolete Bulk Standard -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Die - Die 1200V - 1.6V @ 15V, 20A - 420nC 105ns/45ns 600V, 75A, 5 Ohm, 15V
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RFQ
2,682
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Infineon Technologies IGBT 1200V ULTRA FAST DIE - Obsolete Bulk Standard -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Die - Die 1200V - 1.6V @ 15V, 20A - 360nC 63ns/267ns 600V, 75A, 4.7 Ohm, 15V
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