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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 输入类型 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | 反向恢复时间(trr) | 集电器(Ic)(最大值) | 电压-集电极-发射极击穿(最大) | IGBT型 | Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) | 电流收集器脉冲(Icm) | 开关能量 | 门电荷 | 25°C时的Td(开/关) | 试验条件 | |
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 543W D3PAK | POWER MOS 7® | Not For New Designs | Tube | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 543W | D3 [S] | - | 100A | 600V | PT | 2.7V @ 15V, 40A | 160A | 385µJ (on), 352µJ (off) | 135nC | 20ns/64ns | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |