1 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 配置 | 供应商设备包 | 集电器(Ic)(最大值) | 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 集电器截止(最大) | IGBT型 | Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) | 输入电容(Cies)@Vce | 输入 | 热敏电阻 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
1,230
有现货
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | - | Active | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | Double INT-A-PAK (3 + 4) | 1136W | Half Bridge | Double INT-A-PAK | 200A | 1200V | 5mA | NPT | 3.6V @ 15V, 100A | 8.45nF @ 20V | Standard | No |