- Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) :
- 输入电容(Cies)@Vce :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 配置 | 供应商设备包 | 集电器(Ic)(最大值) | 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 集电器截止(最大) | IGBT型 | Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) | 输入电容(Cies)@Vce | 输入 | 热敏电阻 | |
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获得报价 |
1,580
有现货
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 329W SOT227 | POWER MOS 7® | Active | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | 329W | Single | ISOTOP® | 100A | 600V | 500µA | PT | 2.7V @ 15V, 50A | 5.7nF @ 25V | Standard | No | ||
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获得报价 |
2,265
有现货
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | POWER MOS 7® | Active | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | ISOTOP | 329W | Single | ISOTOP® | 75A | 1200V | 500µA | PT | 3.9V @ 15V, 45A | 3.94nF @ 25V | Standard | No | ||
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获得报价 |
2,543
有现货
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 329W SOT227 | POWER MOS 7® | Not For New Designs | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | 329W | Single | ISOTOP® | 100A | 600V | 525µA | PT | 2.7V @ 15V, 50A | 5.7nF @ 25V | Standard | No | ||
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获得报价 |
858
有现货
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | POWER MOS 7® | Active | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | ISOTOP | 329W | Single | ISOTOP® | 75A | 1200V | 750µA | PT | 3.9V @ 15V, 45A | 4nF @ 25V | Standard | No |