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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 配置 供应商设备包 集电器(Ic)(最大值) 电压-集电极-发射极击穿(最大) 集电器截止(最大) IGBT型 Vge,Ic时的Vce(开)(最大值) 输入电容(Cies)@Vce 输入 热敏电阻
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2,707
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Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT WARP 600V 114A MTP - Obsolete -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 12-MTP Module 658W Half Bridge 12-MTP 114A 600V 400µA PT 3.2V @ 15V, 100A 7.1nF @ 30V Standard No
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$70.25
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RFQ
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Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK - Active -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK 658W Single INT-A-PAK 200A 1200V 1mA - 1.8V @ 15V, 100A (Typ) 7.43nF @ 25V Standard No
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RFQ
923
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Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE IGBT SOT-227 - Obsolete -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC 658W Single SOT-227 - 1200V 250µA NPT 3.8V @ 15V, 75A - Standard No
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RFQ
3,537
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Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK - Obsolete -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK (3 + 4) 658W Single INT-A-PAK 170A 1200V 1mA - 1.82V @ 15V, 75A (Typ) 5.52nF @ 25V Standard No
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RFQ
2,515
有现货
Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE IGBT SOT-227 - Obsolete -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC 658W Single SOT-227 - 1200V 250µA NPT 3.8V @ 15V, 75A - Standard No
VS-50MT060WHTAPBF
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$54.57
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Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 600V 114A 658W MTP - Active -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 12-MTP Module 658W Half Bridge MTP 114A 600V 400µA - 3.2V @ 15V, 100A 7.1nF @ 30V Standard No
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