晶体管 - IGBT - 模块 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	工作温度	安装类型	包装/箱	最大功率	配置	供应商设备包	集电器（Ic）（最大值）	电压-集电极-发射极击穿（最大）	集电器截止（最大）	IGBT型	Vge，Ic时的Vce（开）（最大值）	输入电容（Cies）@Vce	输入	热敏电阻
	VS-GB90DA60U	单位 $59.58	获得报价	PDF RFQ	1,813 有现货	Vishay Semiconductor Diodes Division	TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR	-	Active	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	625W	Single	SOT-227	147A	600V	100µA	NPT	2.8V @ 15V, 100A	-	Standard	No
	APT70GR120J		获得报价	PDF RFQ	1,076 有现货	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	-	Active	-55°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	543W	Single	SOT-227	112A	1200V	1mA	NPT	3.2V @ 15V, 70A	7.26nF @ 25V	Standard	No
	APT50GR120JD30		获得报价	PDF RFQ	1,867 有现货	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 84A 417W SOT227	-	Active	-55°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	417W	Single	SOT-227	84A	1200V	1.1mA	NPT	3.2V @ 15V, 50A	5.55nF @ 25V	Standard	No
	VS-GB90SA120U	单位 $73.10	获得报价	PDF RFQ	1,743 有现货	Vishay Semiconductor Diodes Division	TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR	-	Active	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	862W	Single	SOT-227	149A	1200V	250µA	NPT	3.9V @ 15V, 75A	-	Standard	No
	APT70GR120JD60	单位 $35.04	获得报价	PDF RFQ	2,419 有现货	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 112A 543W SOT227	-	Active	-55°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	543W	Single	SOT-227	112A	1200V	1.1mA	NPT	3.2V @ 15V, 70A	7.26nF @ 25V	Standard	No
	GB100XCP12-227	单位 $201.25	获得报价	PDF RFQ	694 有现货	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	-	Active	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	-	Single	SOT-227	100A	1200V	1mA	PT	2V @ 15V, 100A	8.55nF @ 25V	Standard	No
	VS-GA250SA60S	单位 $74.42	获得报价	PDF RFQ	1,407 有现货	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	-	Active	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SOT-227-4	961W	Single	SOT-227	400A	600V	1mA	-	1.66V @ 15V, 200A	16.25nF @ 30V	Standard	No

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