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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
GP2M002A065PG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA I-PAK 52W (Tc) N-Channel 650V 1.8A (Tc) 4.6 Ohm @ 900mA, 10V 5V @ 250µA 8.5nC @ 10V 353pF @ 25V 10V ±30V
GP2M002A065HG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220 52W (Tc) N-Channel 650V 1.8A (Tc) 4.6 Ohm @ 900mA, 10V 5V @ 250µA 8.5nC @ 10V 353pF @ 25V 10V ±30V
GP2M002A065FG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 Full Pack TO-220F 17.3W (Tc) N-Channel 650V 1.8A (Tc) 4.6 Ohm @ 900mA, 10V 5V @ 250µA 8.5nC @ 10V 353pF @ 25V 10V ±30V
GP2M002A065CG
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Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 52W (Tc) N-Channel 650V 1.8A (Tc) 4.6 Ohm @ 900mA, 10V 5V @ 250µA 8.5nC @ 10V 353pF @ 25V 10V ±30V
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