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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFS3507TRLPBF		获得报价	PDF RFQ	3,468 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	190W (Tc)	N-Channel	-	75V	97A (Tc)	8.8 mOhm @ 58A, 10V	4V @ 100µA	130nC @ 10V	3540pF @ 50V	10V	±20V
	IRFS3507		获得报价	PDF RFQ	600 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	190W (Tc)	N-Channel	-	75V	97A (Tc)	8.8 mOhm @ 58A, 10V	4V @ 100µA	130nC @ 10V	3540pF @ 50V	10V	±20V
	IRFSL3507		获得报价	PDF RFQ	831 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 97A TO-262	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262	190W (Tc)	N-Channel	-	75V	97A (Tc)	8.8 mOhm @ 58A, 10V	4V @ 100µA	130nC @ 10V	3540pF @ 50V	10V	±20V
	IRFB3507PBF		获得报价	PDF RFQ	1,582 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	190W (Tc)	N-Channel	-	75V	97A (Tc)	8.8 mOhm @ 58A, 10V	4V @ 100µA	130nC @ 10V	3540pF @ 50V	10V	±20V
	IRFB3507		获得报价	PDF RFQ	2,822 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB	HEXFET®	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3	TO-220AB	190W (Tc)	N-Channel	-	75V	97A (Tc)	8.8 mOhm @ 58A, 10V	4V @ 100µA	130nC @ 10V	3540pF @ 50V	10V	±20V

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