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- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,399
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223 | SIPMOS® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | P-Channel | - | 100V | 980mA (Tc) | 900 mOhm @ 980mA, 10V | 4V @ 380µA | 12nC @ 10V | 319pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,670
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223 | SIPMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | P-Channel | - | 100V | 980mA (Tc) | 900 mOhm @ 980mA, 10V | 4V @ 380µA | 12nC @ 10V | 319pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,485
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | SIPMOS® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 38W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 4A (Tc) | 1 Ohm @ 2.8A, 10V | 4V @ 380µA | 12nC @ 10V | 319pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1