- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
607
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 | POWER MOS 8™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP® | 543W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 33A (Tc) | 190 mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 2.5mA | 303nC @ 10V | 9326pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,579
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 | POWER MOS 8™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | ISOTOP® | 543W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 31A (Tc) | 210 mOhm @ 24A, 10V | 5V @ 2.5mA | 303nC @ 10V | 9326pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1