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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IXTH32N65X
单位
$5.16
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RFQ
2,210
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IXYS MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247 (IXTH) 500W (Tc) N-Channel 650V 32A (Tc) 135 mOhm @ 16A, 10V 5.5V @ 250µA 54nC @ 10V 2205pF @ 25V 10V ±30V
IXTQ32N65X
单位
$4.75
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RFQ
2,898
有现货
IXYS MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 500W (Tc) N-Channel 650V 32A (Tc) 135 mOhm @ 16A, 10V 5.5V @ 250µA 54nC @ 10V 2205pF @ 25V 10V ±30V
IXTP32N65X
单位
$4.28
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RFQ
3,088
有现货
IXYS MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 - Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220-3 500W (Tc) N-Channel 650V 32A (Tc) 135 mOhm @ 16A, 10V 5.5V @ 250µA 54nC @ 10V 2205pF @ 25V 10V ±30V
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